Samsung продолжает развивать свои передовые полупроводниковые технологии. Помимо текущей работы над 2-нм процессами, инженеры компании ведут активные исследования еще более передовой технологии — 1-нм техпроцесса, который получил неофициальное название «полупроводниковый узел мечты».

Когда мы увидим новую технологию

По планам Samsung:

  • 2030 год — завершение научно-исследовательских работ
  • 2031 год — запуск первого производственного процесса

Разработчики понимают, что переход с 2 нм на 1 нм — это практически невыполнимая с инженерной точки зрения задача. Однако компания нашла инновационное решение проблемы.

Что такое технология Forksheet

Forksheet (в переводе «разветвленная структура») — это передовой метод размещения электронных компонентов на чипе. Если объяснить простым языком:

Структура традиционного подхода:

  • Каждый транзистор занимает определенное место на чипе
  • Между транзисторами остается пустое пространство
  • Это пространство невозможно использовать эффективно

Как работает Forksheet: Технология создает специальные непроводящие «перегородки» между устройствами GAA (Gate-All-Around). Это позволяет буквально вставить новые транзисторы в образовавшееся пространство, как вилку в розетку — отсюда и название технологии.

Результат: на той же площади чипа можно разместить значительно больше транзисторов, что повышает производительность устройства.

Что такое GAA-технология

GAA (Gate-All-Around) — это архитектура транзистора, при которой затвор (управляющий элемент) окружает канал проводимости со всех сторон. Это увеличивает количество путей прохождения тока с трех полос до четырех, что повышает энергоэффективность процессора.

ПараметрОписаниеПреимущества GAAЛучшее управление током, меньше энергопотребленияИспользование2-нм техпроцессы SamsungОграничениеВ 1-нм процессе требуется модернизация

Почему Samsung выбрала Forksheet для 1-нм

При переходе к 1-нм процессам простое использование GAA-технологии становится неэффективным. Samsung нашла решение, заимствовав принцип из строительства:

  • Традиционный подход: Дома разделены газонами — это похоже на пустое пространство между транзисторами
  • Новый подход: Samsung убирает эти «газоны» и добавляет новые «строения» (транзисторы), используя каждый сантиметр кремния

История отказа от 1,4-нм процесса

Интересный факт из истории Samsung: в 2023 году компания отменила свой 1,4-нм техпроцесс, позже объявив, что отложила его внедрение до 2028 года. Причина была проста — Samsung решила переключить внимание на совершенствование 2-нм технологии GAA.

Сейчас стало ясно: компания столкнулась с производственными трудностями именно потому, что не рассматривала тогда технологию Forksheet. После дополнительных исследований инженеры нашли способ решить эти проблемы.

Текущие проблемы Samsung с энергоэффективностью

Однако у Samsung остаются нерешенные проблемы. На примере процессора Exynos 2600 (используется в некоторых вариантах Galaxy S26) видны серьезные недостатки:

  • Скачки напряжения при работе интенсивных приложений
  • Высокое энергопотребление: до 30 Вт при запуске тестов Geekbench 6
  • Сниженное время автономной работы — Galaxy S26 с Exynos 2600 работает на 28% меньше, чем версия с процессором Snapdragon 8 Elite Gen 5

Что это означает для пользователей: батарея телефона разряжается значительно быстрее.

Что Samsung должна исправить

Компании необходимо устранить эти проблемы, начиная со второго поколения 2-нм техпроцесса (известного как SF2P). Если эти вопросы не решены на текущем уровне, то внедрение 1-нм процесса может быть еще более сложным.

Перспективы на будущее

Samsung стремится к массовому производству полупроводников размером менее 2 нм. Если компании удастся решить проблемы энергоэффективности и применить технологию Forksheet успешно, то 1-нм чипы могут стать революционным шагом в развитии электроники.

Однако, как показывает опыт с Exynos 2600, между планами и реальностью может быть значительное расстояние. Время покажет, насколько успешным окажется амбициозный проект Samsung.

    3

    Добавить комментарий